DE600CL 磁控濺射系統

DE600CL磁控濺射系統配備多個磁控濺射源，可在最大6英寸基片上沉積金屬、半導體、介質材料. 可用于濺射多層薄膜和共濺合金薄膜。是大專院校和科研院所從事材料和薄膜研究的理想平臺

C型濺射鍍膜腔體，前開門，便于內部操作

PID下游和上游壓力控制

很好的薄膜均勻性和重復性

關鍵部件安全互鎖保護

主要配置

濺射腔室

磁控濺射真空腔室	腔體為304不銹鋼，并有觀察窗
真空泵	分子泵(或冷凝泵）和干泵
真空閥門	電動控制高真空插板閥門腔體充氣閥門，粗抽和前級角閥，氣體截止閥
真空測量	寬量程真空計用于測量真空和皮拉尼粗抽計
濺射源	多達到6個4英寸圓形磁控濺射源電源可以配備直流，脈沖直流或射頻電源
樣品臺	樣品臺旋轉加熱或水冷
壓力控制	多路氣體由流量計一個壓力計實現濺射壓力PID控制
冷水安全互鎖	濺射源冷卻水路配水流傳感器對濺射源安全互鎖保護

主要技術指標

預真空室

預真空樣品室

極限真空優于5E-7torr
單基片或多基片裝載能力
可選射頻等離子體清洗

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